人类大脑具备突出的高鲁棒性、低功耗等特点，自身能够有效应对外界环境的动态变化，具备强大学习能力，即便身处复杂环境也能够有效决策并稳定工作。类脑计算受人类大脑计算架构启发，拟基于生物神经网络工作原理设计实现高效计算硬件，较之传统的冯·诺依曼架构有望实现高并行、低功耗、高容错的计算模式，从而向更加智能化的信息处理方式迈进。人工神经元和人工突触被认为是构建类脑计算系统的关键单元，因此开发功能强大的人...

信息科学技术学院2020年毕业典礼隆重举行6月26日上午，信息科学技术学院2020年毕业典礼在理科二号楼2129报告厅举行，典礼通过网络平台进行实时直播。学院在京党政班子成员、毕业班班主任代表及部分2020届毕业生出席典礼，七百余名毕业生通过直播“云端”相聚。典礼由学院学生工作办公室主任李子奇主持。信息科学技术学院2020年毕业典礼现场在现场热烈的掌声和同学们的期待中，中国工程院院士、信息科学技术学院院长高文教授发表...

   在6月23日国际奥林匹克日即将来临之际，信息科学技术学院为期九周的“强身健体，齐心战疫”线上打卡活动圆满结束。2020年初，一场突如其来的疫情阻断了同学们外出的脚步，在学院党委的组织下，长期居家的同学们进行了锻炼打卡活动。本次活动自4月2日上线以来，受到了信科师生的广泛关注和积极响应，同学们建立了“打卡群”进行每日健身活动，期间相互督促、互相鼓励。疫情面前，同学们意识到了强健的体魄不仅仅是学习和生活...

2020年6月19日上午9点，信息科学技术学院党委组织广大师生党员积极参加全国高校党组织战“疫”示范微党课。本期示范微党课由北京大学、清华大学、武汉大学、华中科技大学四校党委书记和基层党组织书记以“1+1”形式联合开讲。开课伊始，北京大学党委书记邱水平教授对当前疫情形势进行分析，并对当代大学生提出了在疫情期间要担当重任、发挥作用的期望。北京大学第三医院援鄂抗疫国家医疗队第二临时党支部书记“90后”吴超分享...

2020年6月15日，北京大学首次“云聘任”仪式在北京大学静园五院举行，北京大学校长郝平为卡耐基梅隆大学Bruce Nelson讲席教授、1995年图灵奖（A.M. Turing Award）获得者曼纽尔·布卢姆（Manuel Blum）和夫人卡耐基梅隆大学杰出教授贝兰妮·布卢姆（Lenore Blum）颁发北京大学访问讲席教授聘书，副校长黄如代表学校赠送纪念品。刚刚完成布卢姆教授夫妇“有意识的图灵机”短期课程的近20名图灵班同学通过视频连线的方式共同见证仪...

一年一度的“六一”儿童节就要到了，电子学系工会为会员组织了亲子认知植物绘画活动。孩子们在这个春意盎然、繁花盛开的季节选择了一种自己喜爱的植物观察它们的特点，用绘画作品表现出来。家长们则帮助小朋友查询植物名称，引导小朋友注意叶的生长方式（如互生、对生）和叶裂的特点等。有4岁—11岁的多位小朋友参加了活动。大家各显其能，绘画作品形式多样，有拓印、蜡笔画、彩铅画、水彩画和水墨画等。这项活动让家长们带孩子...

    为庆祝“全国科技工作者日”的到来，2020年5月29日，科技部高技术研究发展中心在西苑饭店组织召开国家重点研发计划重点专项项目负责人座谈会，对“项目执行优秀团队”进行了表彰。由北京大学微纳电子学系杨玉超特聘研究员牵头、北京大学联合清华大学和浙江大学承担的重点研发计划项目“多端非易失纳米逻辑器件及运算功能拓展”获评项目执行优秀团队，该成果为纳米专项3个获得表彰的项目之一。 此次评选是根据2019年度国家重...

单片光电集成芯片研发一直是纳米光子学和电子学领域的重要课题，且在光通信和芯片光互连领域有着重要意义。以硅基为主导的集成电路和以III-V族化合物为主导的光电器件之间由于受制于工艺不兼容，难以高度集成；新兴纳米材料的涌现为此提供了新思路，受到广泛关注。然而，有关纳米材料波导集成的相关文献报道主要集中在石墨烯、黑磷、过渡金属硫族化合物等二维材料，存在暗电流高、稳定性差、工作波长受限等问题，且不具备一种沟...

生物自组装结构具有精细的三维形貌，其关键结构参数小于光刻等传统纳米加工手段的分辨率极限。利用自组装生物分子作为加工模板，目前已实现金属材料、碳基材料、氧化物材料的可控形貌合成。然而，基于生物模板的电学器件的性能往往远落后于通过蚀刻或薄膜方法制备的同类器件，且缺乏长程取向规整性，因而制约了生物模板在高性能器件中的应用。为此，北京大学信息科学技术学院电子学系/北京大学碳基电子学研究中心、纳米器件物理...

集成电路的发展要求互补金属氧化物半导体（CMOS）晶体管在持续缩减尺寸的同时提升性能，降低功耗。随着主流CMOS集成电路缩减到亚10 nm技术节点，采用新结构或新材料对抗场效应晶体管中的短沟道效应、进一步提升器件能量利用效率变得愈加重要。在诸多新型半导体材料中，半导体碳纳米管具有超高的电子和空穴迁移率、原子尺度的厚度和稳定的结构，是构建高性能CMOS器件的理想沟道材料。已公开的理论计算和实验结果均表明，碳管CMOS...